ИЗУЧЕНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ С РАДИАЦИОННЫМИ ДЕФЕКТАМИ В КРЕМНИЙ ПРИ -ОБЛУЧЕНИЯ
Abstract
Известно, что атомы много химических элементов образуют глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне кремния. Глубокие центры в кремнии образуются и при облучении проникающим излучением. Энергетические уровни и типы (акцепторный или донорный) большинства примесных и дефектных радиационных центров хорошо установлены. Однако их структура и поведения их составляющих, включая, собственных междоузельных атомов и вакансий изучены недостаточно [1-8]. В то же время участие собственных междоузельных атомов (I), вакансий (V) и неконтролируемых примесей в образовании глубоких центров в кремнии становится существенным при высоких уровнях легирования или больших дозах облучения и начинает определять электрофизические, фотоэлектрические и рекомбинационные свойства кремния [4,5,9,11-18].
References
Бацанов С.С. Электроотрицательность элементов и их химическая связь. (Новосибирск, 1962) 296 с.
А.А. Istratov , E.R. Weber, Арр1. Phys А 66, 123 (1998).
М. Каримов, A.K. Караходжаев. Известия вузов. Физика 7, 3 (2000).
Физика и материаловедение полупроводников с глубкими уровнями, под ред. проф. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987) с.232.
Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н., Махмудов Ш.А., Сулаймонов А.А. Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния p-типа» // Известия вузов, Физика. – Томск. 2011. –Вып.5 – С.75-78.
Karimov M., Makhkamov Sh., Makhmudov Sh.A., Muminov R.A., Rakhmatov A.Z., Sulaimanov A.A., Tursunov N.A. Peculiarities of influence of radiation defects on photoconductivity of silicon irradiated by fast neutrons. (Applied Solar Energy, Allerton Press, Inc., 2010) vol. 46 (4), pp. 298-300.Sh.
Makhmudov and oth..Study of after diffusion regions in highly doped silicon // International scientific journal Science and Innovation, ISSN: 2181-3337, V-1, №6, 9.10/2022,- Pp. -402-404.
M. Yu. Tashmetov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaymonov, A. K. Rafikov, B. Zh. Abdurayimov. Photosensors Based on Neutron Doped Silicon // ISSN 0003-701X, Applied Solar Energy, 2019, Vol. 55, No. 1, pp. 71–73.
Mahmudov Sh.A., Rafikov A.K., Mirzarayimov J.Z.. Effect of Radiation 60Co on the Photosensitivity of Overcompensated Silicon. / International Journal of Progressive Sciences and Technologies (IJPSAT)/ISSN: 2509-0119, August 2020, pp. 12–15. https://ijpsat.ijsht-journals.org/index.php/ijpsat/article/view/2043
M Karimov, Sh Makhkamov, NA Tursunov, Sh A Makhmudov, AA Sulaimonov. “The effect of fast neytrons on the electrophysical properties of nucler-doped p-silicon” // Russian Physics Journal 2011/10. vol 54. Pp589-593.
Sh.A. Makhkamov, M.Yu. Tashmetov, Sh.A. Makhmudov, A.K. Rafikov, A.A. Sulaimonov.Диффузияатомовпримесиродиявкремниидлядатчиков // FRANCE international conference: “Scientific approach to the modern education system" Part 10, 5th December, - Pp. -95-98.
Ш.А. Махмудов, Н.Т. Сулайманов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков, С.Ж. Рахманов. 3 МэВ энергияли электронлар оқимида нурлантиришнинг кремний кристалларининг электрофизик хоссаларига таъсири // «Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики», Труды международной конференции, 19 - 21 октября 2023 г., с. 182-186.
Сулаймонов А. А. Терморезистор на основе компенсированного кремния // Proceedings of International Scientific Conference on Multidisciplinary Studies, Hosted online from Moscow, Russia, 11- April, 2023, pp-52-56.
Сулаймонов А. А. Особенности нейтронной трансмутации легированного кремния // Proceedings of International Scientific Conference on Multidisciplinary Studies, Hosted online from Moscow, Russia, 11- April, 2023, pp-57-61.
Сулаймонов А. А. Рафиков А. К. Детекторы ядерного излучения на основе нейтроннолегированного кремния // Proceedings of International Scientific Conference on Multidisciplinary Studies, Hosted online from Moscow, Russia, 11- April, 2023, pp-62-66.
Ш.А. Махмудов, А.К. Рафиков, А.А. Сулаймонов. Исследование влияния фоточувствительности кремния, компенсированного родием и серой// XIX Ежегодной молодежной научной конференции «Достижения и перспективы научных исследований молодых ученых Юга России» г. Ростов-на-Дону, 17–28 апреля 2023 г. С. -271.
Sh.A. Makhmudov, A.A. Sulaimоnov,A.K. Rafikov. Investigation of the electrical activity of silicon doped with rhodium atoms// “Renewable energy and energy efficiency in the xxi century” may 18–19, 2023 Kyiv, pp.-231-232.
Sh.A. Makhmudov, A.A. Sulaimоnov, A.K. Rafikov. Исследование концентрации примесей Si и их электрического состояния // ХIII Иссык-Кульской Международной школа-конференции по радиационной физике, посвященная 90- летию А.А. Алыбакова - основателя физики твердого тела в Кыргызской Республике, 31 июля - 6 августа 2023 года, с. -22-25.
Ш.А. Махмудов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков. Скорости уменшения носителей тока в легированного кремния с атомами родия под воздействием быстрых нейтронов // 6-Международная конференция по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро - и наноструктурах (OPPSMN-2023), Фергана (Узбекистан), 28-30 сентября 2023 г. С. 7-10.
Сулаймонов А,А. Дўсназаров Э.М. Фотопроводимости в кремнии p-типа компенсированном атомами фосфора. Журнал. Образование наука и инновационные идеи в мире. 2023 вып №30 том 2 ст 93-98.
Сулаймонов А,А. Рафиков А.К. Кинетика отжига радиасионных дефектов нейтронно-компенсированноного кремния. Журнал. Образование наука и инновационные идеи в мире. 2023 вып №30 том 2 ст 88-92.
Arof A.K., Mat N.A., Aziz N., Kufian M.Z., Mamatkarimov O.O. Investigation on morphology of composite poly(ethylene oxide)-cellulose nano fibers. Materials Today: Proceedings 17 (2019) pp.388–393.
Mamatkarimov O.O., Khamidov R. The relative current change, concentration, and carrier mobility in silicon samples doped nickel and at pulse hydrostatic pressure. Materials Today: Proceedings 17 (2019) 442–445.
Shahan Sh., Teo L.P., Buraidah M.H., Abidin Z.H.Z., Mamatkarimov O.O., Arof A.K. Characteristics of dye-sensitized solar cells (DSSCs) using liquid and gel polymer electrolytes with tetrapropylammonium salt. Optical and Quantum Electronics. 2020. 3. Vol.52.pp.1-15.
Ikhwan Syafiq Mohd Noor, Odiljon Mamatkarimov, Abdul Kariem Mohd Arof. “Influence of charge carrier density, mobility and diffusivity on conductivity–temperature dependence in polyethylene oxide–based gel polymer electrolytes” High Performance Polymers. November 4, 2021.
Ш.А. Махмудов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков, С.Р. Эгамов. Электронлар билан нурлантирилган легирланган кремнийга таъсирини тадқиқ қилиш // Тенденции развития физики конденсированных сред: Тезисы докладов Международной научной конференции (30-31 октября 2023 года, г.Фергана,
Узбекистан). – Фергана 2023. С.32-34.
Н.Т. Сулайманов, А.К. Рафиков, А.А. Сулаймонов, С.Р. Эгамов. Влияние атомов теллура на структуру и электронные свойства нейтронно-трансмутационного кремния // Тенденции развития физики конденсированных сред: Тезисы докладов Международной научной конференции (30-31 октября 2023 года, г.Фергана, Узбекистан). – Фергана 2023. С. 76-77.
