YARIMO‘TKAZGICHLI MAYDON TRANZISTORIGA YORUG‘LIK TA’SIRI
Ключевые слова:
tok, kanal qalinli, konsentratsiya, zatvor, maydoniy tranzistor, yopilish kuchlanishi, qisqa tutashuvli fototok, kuchlanishining spektral sezgirligi, Darlington sxemasi.Аннотация
Ushbu maqola yarimo‘tkazgichlimaydon tranzistoriga yorug’lik ta’siri o‘rganilgan. Maydon tranzistorining yorug’likka ta’sirini o‘lchashda o‘lchov parametri sifatida yuqori omli voltmetr bilan darajalangan yopilish kuchlanishi olingan.
Библиографические ссылки
Karimov A. V. et al. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode //International Journal of Engineering Inventions e-ISSN. – 2016. – С. 2278-7461.
Karimov A. V. et al. Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore //Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature. – 2011. – №. 1-2. – С. 90.
Каримов А. В. и др. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011.
Djuraev D. R. et al. The principles of increasing the sensitivity of transistor structures to external influences //Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2019. – Т. 1. – №. 1. – С. 2.
A Turayev - E3S Web of Conferences, 2023// Sensitivity to pressure and light of a depletion-mode field-effect transistor.
Karimov A. V. et al. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement //Journal of Engineering Physics and Thermophysics. – 2016. – Т. 89. – №. 2. – С. 514-517.
Abdulkhaev O. A. et al. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-limiting mode //Journal of Engineering Physics and Thermophysics. – 2013. – Т. 86. – №. 1. – С. 248-254.
Dzhuraev D. R., Turaev A. A. Features of key parameters of field transistors //Scientific reports of Bukhara State University. – 2020. – Т. 3. – №. 2. – С. 7-10.
Atoyevich T. A. et al. DIOD REJIMIDA ULANGAN MAYDON TRANZISTORIGA YORUG’LIK TA’SIRINI O’RGANISH //Results of National Scientific Research. – 2022. – Т. 1. – №. 2. – С. 106-110.
Тураев А. А., Ахтамов Б. Р. Основные критерии параметров полевого транзистора для многофункционального датчика //Наука без границ. – 2017. – №. 6 (11). – С. 99-103.
Джураев Д. Р., Тураев А. А., Ниязов Л. Н. О стоковых характеристиках полевого транзистора в качестве ограничителя тока и приемника оптического сигнала //Современные тенденции развития науки и производства. – 2014. – С. 135-135.
Rahmatov A. Z. et al. Features of the performance of a transient voltage suppressor in the pulsed mode //Semiconductors. – 2013. – Т. 47. – №. 3. – С. 387-391.
Djuraev D. R., Turaev A. A. Photoelectric sensitivity of multifunctional sensor on the outdoor transistor //Scientific reports of Bukhara State University. – 2018. – Т. 1. – №. 2. – С. 7-11.
Тураев А. А., Ниязов Л. Н. ИЗУЧЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ ОТСЕЧКИ КАНАЛА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ //СОВРЕМЕННЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ТЕХНИКА И ТЕХНОЛОГИЯ. – 2013. – С. 225-226.
Абдулхаев О. А. и др. Особенности температурных свойств полевого транзистора в режиме ограничения токов //Инженерно-физический журнал. – 2013. – Т. 86. – №. 1. – С. 232-237.
Тураев А. А. Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме //Colloquium-journal. – Голопристанський міськрайонний центр зайнятості, 2019. – №. 3-1 (27). – С. 71-74.
Abdulkhayev O. A. et al. Physico-technological aspects multifunctional sensor on field-effect transistor //New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects. – 2016. – С. 10-11.
Turaev A. A., KS S. Dinamik yuklamali sxemada maydoniy tranzistorning kuchaytirish xossalari //Buxoro davlat universiteti ilmiy axboroti. – 2016. – Т. 4. – №. 64. – С. 31-35.
Rakhmanovich D. D. et al. Physical and Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor //Central Asian journal of theoretical & applied sciences. – 2021. – Т. 2. – №. 10. – С. 101-106.
Ahmedjonovna S. S., Ataevich T. A. Control of stock current in field-effect transistors by gate voltage //ACADEMICIA: An International Multidisciplinary Research Journal. – 2021. – Т. 11. – №. 4. – С. 417-421.
Karimov A. V. et al. Features amplifying properties of a field effect transistor in the circuit with dynamic load //Physical Surface Engineering. – 2015. – Т. 13. – №. 1. – С. 12-16.
Rakhmatov A. Z. et al. Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter. – 2010.
Тураев А. А. Термочувствительный параметр полевого транзистора в режиме ограничения токов //Научный альманах. – 2019. – №. 2-2. – С. 81-84.
Karimov A. V., Djuraev D. R., Turaev A. A. Investigation temperature sensitivity of the field-effect transistor in channel depletion mode //Journal of Scientific and Engineering Research. – 2017. – Т. 4. – №. 2. – С. 1-4.
Karimov A. V., Djurayev D. R., Turaev A. A. Physical-technological aspects of a multifunctional sensor based on a field-effect transistor. World Journal of Engineering Research and //Technology. – 2017. – Т. 3. – №. 2. – С. 57.
Тураев А. А., Жураев А. Р. Модуль приема оптических сигналов с входным каскадом на полевом фототранзисторе : дис. – Сумский государственный университет, 2016.
Каримов А. В. и др. Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме измерения //Инженерно-физический журнал. – 2016. – Т. 89. – №. 2. – С. 497-500.
Abdulkhaev O. A. et al. The optical signal transfer and reception modules via atmosphere. – 2011.
Juraev D. R., Nazarova M., Turaev A. The atmospheric optical communication link of new generation. – 2010.
Тураев А. А. Стоковая, вольтамперные характеристики полевого транзистора //Информационные и инновационные технологии в науке и образовании. – 2020. – С. 666-669.
Тураев, А. А. "Стоковая, вольтамперные характеристики полевого транзистора." Информационные и инновационные технологии в науке и образовании. 2020.
