ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ПРИМЕСИ РОДИЯ В КРЕМНИИ ДЛЯ ДАТЧИКОВ
Keywords:
Родий, температура, диффузия, примесь, время насыщения, растворимость, равномерный, активные центры.Abstract
Растворимость Rh в кремнии изучались методом полного насыщения в интервале температур 1000-1300 оС. Установлено, что с увеличением времени диффузии и тот же уровень концентрации увеличивается и насыщение достигается через определенное время.
References
Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – Москва: Высшая школа, 1984. – 296 с.
Зайнабидинов С., Курбанов А.О. «Влияние - квантов 60Со на фотоэлектрические свойства кремния легированного никелем и родием» Scientifc-technical journal. 2020, V.3, №5. pp 90-94. https://uzjournals.edu.uz/ferpi/vol3/iss5/18
Р. С. Касымова, Х. Р. Абдукаримова. «Зависимость времени жизни носителей тока в кремнии, легированном золотом, от степени компенсации» Физика и техника полупроводников, 1991, Том 25, выпуск 9, 1566–1568.
http://www.mathnet.ru/rus/agreement
Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Издательство «Наука», Ленинградское отделение, Ленинград, 1972. 386 с.
Mahmudov Sh.A., Rafikov A.K., Mirzarayimov J.Z.. Effect of Radiation 60Co on the Photosensitivity of Overcompensated Silicon. / International Journal of Progressive Sciences and Technologies (IJPSAT)/ ISSN: 2509-0119, August 2020, pp. 12–15.
https://ijpsat.ijsht-journals.org/index.php/ijpsat/article/view/2043
M. Yu. Tashmetov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaymonov, A. K. Rafikov, B. Zh. Abdurayimov. Photosensors Based on Neutron Doped Silicon // ISSN 0003-701X, Applied Solar Energy, 2019, Vol. 55, No. 1, pp. 71–73. © Allerton Press, Inc., 2019.Russian Text © The Author(s), 2019, published in Geliotekhnika, 2019, No. 1, pp. 83–85.
https://link.springer.com/article/10.3103/S0003701X19010134
