ДВИЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОНА В МНОГОСЛОЙНЫХ КВАНТОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ
Keywords:
электрон, потенциальный барьер, уравнение Шедингера, коэфициенты прохождения и отражения.Abstract
В статье использовано аналитическое решение уравнения Шредингера для электрона в каждом слое и граничные условия между слоями для моделирования поведения электронов в многослойных квантовых наноструктурах, а также создана программа на языке Visual Basic для рассматриваемого процесса. В программе имеется возможность изменять эффективную массу электрона в каждом слое, высоту и ширину потенциального барьера в нем, рассчитывать коэффициенты прохождения и возврата электронов через барьеры и вероятность нахождения в них, а также отравлять результаты расчета в MS Excel. С помощью программы исследована зависимость коэффициентов прохождения и отражения электронов из барьеров и вероятность пребывания в них от толщины и ширины барьеров.
References
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика (Нерелятивистская теория). М.: Наука, 1989.
Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. Москва: "Логос", 2000.
Насиров М., Юлдашева Н., Матбобоева С., Кучкарова М. Численное решение уравнения Шредингера для произволного потенциала//«Научный импульс», 2022, № 4 (100), с. 718-722.
Nosirov M., Matbabyeva S., Janibekova S. Simulation of electron movement in quantum nanostructures//Science and innovation. volume 2, issue 12, 2023, pp. 296-301. https://doi.org/10.5281/zenodo.10433260б
